IGBT模块是一种集成了多个功率晶体管的半导体器件。IGBT是 Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双较型晶体管）的缩写，它是一种电力开关器件，具有普通双较型晶体管和金属氧化物场效应管（MOSFET）的优点。该器件在控制电流方面具有高速度和高电压电流承受能力。 IGBT模块通常由多个IGBT和自由较二极管、驱动电路、温度传感器、故障保护电路等组成。由于它的结构紧凑，所以占用空间小，且具有较高的可靠性和稳定性，因此广泛应用于工业控制、电动工具、电动汽车、电力电子设备等领域。它可以用于交流电的控制和直流电的转换，具有很高的效率和可靠性。 IGBT模块的主要优点是其高效率、高速度和高电压电流承受能力，同时也具有较低的开关损耗和较高的开关速度。缺点是其成本相对较高，且需要较为复杂的控制电路。