MOS场效应管检测方法

    MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管),属于绝缘栅型。

    在金属栅与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(高可达1015Ω)。

    它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源S接在一起。 

    MOS场效应管检测方法:

    1.准备工作

    测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。

    好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。

    2.判定电

    将万用表拨于R×100档,首先确定栅。

    若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅G。

    交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D,红表笔接的是S。

    日本生产的3SK系列产品,S与管壳接通,据此很容易确定S。

    3.检查放大能力(跨导)

    将G悬空,黑表笔接D,红表笔接S,然后用手指触摸G,表针应有较大的偏转。

    双栅MOS场效应管有两个栅G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2。

    有的MOSFET管在G-S间增加了保护二管,平时就不需要把各管脚短路了。

    关键词:  MOS场效应管  7805晶体管  AC-DC电源芯片

    编辑精选内容:

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