天津瑞利光电科技有限公司优势经销意大利OPTOI光电晶体管阵列OIT15C-NR
产品型号:OIT15C-NR
产品介绍
OIT15C-NR 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极,该集电极连接到单个焊盘,每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm,LCC 封装电气间距为 1.10 mm。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2。
该产品的优点是硅传感器的高度均匀性,由于单片结构和受控的微电子过程,信号的高稳定性和高光学响应性,由于沉积在光电晶体管区域上的抗反射涂层。
该设备采用薄塑料薄膜保护,可抵抗回流炉工艺。一旦将设备组装到电子板上,就须去除薄膜,用户可以安装光学标线片。尺寸减小,以优化成本和编码器空间。两个参考标记可用于准确的标线定位。
性能特点
l 耐焊接工艺,MSL2
l 硅电池的高均匀性
l 更小的光学间距,更宽的有效区域
l 高增益
l 非常小的尺寸
l 准确安装的参考点
l 提供分划板组装服务
技术参数
工作温度范围:-40 100 °C
储存温度:-40 100 °C
引线温度(焊锡)3s:230 °C
集电极-发射较击穿电压@TA=25°C IB=100nA IC=1mA:50 V
功耗,TA=25°C 时:150 mW
静电放电敏感性:3级
暗电流 VR=10V:典型5nA,max.100 nA
响应度:0.5 A/W
峰值响应度 VCE=5V:750 nm
光谱带宽@50% VCE=5V:500…950 nm
发射较-集电极电流 VCE=7.7V:0.025…100 μA
集电极-发射较电流 VCE=52V:0.025…100 μA
增益 VCC=5V IC=2mA:典型500,min.1100,max.500
饱和电压 IE=2mA IB=20μA:80…200 mV
通态集电极电流 VCE=5V EE=1.0mW/cm2:1 mA
上升时间VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs
下降时间 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs
光电晶体管有效面积:0.125 mm2
有效区域长度:0.25 mm
有效区域宽度:0.50 mm
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大部分**物气体化学键或官能团的原子处于不断振动状态,其振动频率与红外光的振动频率相当。若红外光照射**物分子时,分子中的化学键或官能团发生振动吸收,不同的化学键或官能团吸收频率不同,在红外光谱上将处于不同位置,被形象称之为 “红外指纹区”。当出现气体泄漏时,气体会吸收大气空间中特定波长的红外线,用对应波段的红外成像检漏仪即可观测到气团在空间的分布形态。• VOCs 气体红外检漏仪,工作波段 3.