NCP1397ADR2G技术规格及应用简介

时间：2024-08-15作者：深圳市维品佳科技有限公司浏览：228

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• 词条

  词条说明

• 肖特基二管的优缺点

  肖特基二管的优势SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度PN结势垒高度，故其正向导通和正向压降都比PN结二管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，不同于PN结二管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。肖特基二管

• CR6248 CR6348 是一款高能效恒流恒压原边功率开关芯片

  CR6248 CR6348是一款应用在18W以内AC/DC充电器和电源适配器的离线式功率开关，AC264V待机功耗小于75mW。CR6248 CR6348内部采用了多模式控制的效率均衡技术，用于优化芯片系统待机功耗和提升效率，同时采用了初级电感量补偿技术和内部集成的输出线电压补偿技术，保证了系统在全电压范围内输出恒定的功率，及多种保护功能。CR6248 CR6348 特点1.内置高压功率开关MOS

• 启达高压启动芯片CR5842 SOP-8

  启达700V高压启动芯片CR5842CR5842是一款采用 700V 高压启动、内置 65kHz 固定工作频率、50mW 低待机功耗的电流模 PWM 控制芯片，适用于 65W 以内的全电压范围离线开关电源。轻载和无负载情况下自动进入绿色模式和 Burst 模式，可以有效减小电源模块的待机功耗，满足能效六级标准要求。CR5842内置了同步斜坡补偿电路，动态峰值限制电路减小了在宽电压输入时最大输出功

• 启达内置高压功率开关MOSFET芯片CR5268

  启达内置高压功率开关MOSFET芯片CR5268拓扑结构:副边大功率:≤36W内置类型: MOS功率管:内置功率管耐压: 650V封装: SOP-8L/DIP-8L/DIP-7LCR5268主要特点：●内置软启动，以减小MOSFET开关应力●频率抖动和软件驱动技术以达到好的EMI性能●内置软启动，以减小MOSFET开关应力，系统无音频噪音●能效满足DOEVI和CoCV5_ T2要求CR5268基本