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LPCVD 技术是在 10-1000Pa 的低压环境中,通过气态反应物在加热基片表面发生化学反应,实现固态薄膜沉积的工艺。其核心原理包含四个关键步骤:首先是气体输运,将硅烷、氨气、一氧化二氮等反应气体精准引入反应腔室,为反应提供物质基础;其次是表面吸附,在 400-800℃的基片表面,气体分子经物理与化学吸附形成吸附层,这是反应的前置条件;接着是化学反应,高温下吸附的气体分子分解或相互反应,生成二
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