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焦点一:功率半导体器件性能 1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它采用“**级结”(Super-Junction)结构,故又称**结功率MOSFET。工作电压600V~800V,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体器件。 IGBT刚出现时,电压、电流额定值只有600V、2**。很长一段时间内,耐压水平限于1200V~1700V,经过长时间
4. 什么是交流电的相位,初相角和相位差? 答:交流电动势的波形是按正弦曲线变化的,其数学表达式为:e=EmSinωt。 上式表明在计时开始瞬间导*于水平面时的情况。如果计时开始时导体不在水平面上,而是与中性面相差一个角,那么在t=0时,线圈中产生的感应电势为E=Emsinψ。 若转子以ω角度旋转,经过时间t后,转过ωt角度,此时线圈与中性面的夹角为:(ωt+ψ) 上式为正弦电势的一般表达式,也
焦点五:PFC变换器 由于AC/DC变换电路的输入端有整流元件和滤波电容,在正弦电压输入时,单相整流电源供电的电子设备,电网侧(交流输入端)功率因数仅为0.6~0.65。采用PFC(功率因数校正)变换器,网侧功率因数可提高到0.95~0.99,输入电流THD小于10%。既治理了电网的谐波污染,又提高了电源的整体效率。这一技术称为有源功率因数校正APFC单相APFC国内外开发较早,技术已较成熟;三
变频器系统低频特性改善措施(2) 圆周PWM方法降低转距脉动 “圆周”的含义是*子磁链ψ1空间矢量在高斯平面中沿着一个非常接近于圆周的多边形,其以降低电动机脉动转距为目的来确定电压脉冲的宽度和位置。三相逆变器为全波桥式结构,如其运行在这样一种方式下,当交流输出端(a、b、c)之一在任何时候接通直流母线(应同时接到另一个直流母线上),这一原理从图1(a)中可以明显表示清楚。显然交流输出端接到直流母
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