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STP413D P40V 12A用于扫地机 可替代AOD413A、UT5504、UTD413
STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413闽台司坦森原厂直销描述STP413D是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的采用高密度,DMOS器件沟道技术。的stp413d已特别设计,以提高直流/直流转换器的整体效率,无论是使用同步或传统的开关型脉宽调制控制器。它已被优化为低栅电荷,低的RDS(on)和快速开关速度。特征-40V / -12.0a,RDS(上)= 36mΩ
STANSON 原厂STC4614中文资料PDF 数据规格书
STC4614可替代其它:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614产品介绍STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔记本
闽台STANSON厂家直销STN4402 SOP-8 N30V 12A用于遥控器
STANSON原厂 STN4402替代AP4800AGM 、XZN4420、IRF7413、FDS6630A、Si4420、APM4820、AO4468、AO4566、AO4702、Si4882、SM4832NSK、SM4838NSK、SN4839NSK、Si4820、Si4128DY、AO4404B、UT4410、Si4894、AO4404、SM4850NSK、UT4422、AO4466、FDS
STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。特征N沟道60V /幅,RDS(ON)= 35mΩ(典型值)@ VG
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