IP65,IP66,IP67,IP68防护等级区别

时间：2020-05-22

·描述 
高温真空烧结炉、粉末冶金烧结炉、真空气氛烧结炉、太阳能烧结炉、微波烧结炉、烧结炉 玻璃烧结炉 高温烧结炉 试验烧结炉 坩埚烧结炉、热压烧结炉、真空热压烧结炉、**高温烧结炉、**高温反应烧结炉、聚四氟乙稀烧结炉、立式烧结炉、卧式真空炉、烧结炉、陶瓷烧结炉、链式炉、扩散系统、真空扩散炉、高温扩散炉、烘焙排腊炉、单管氢气炉、真空烧结炉、双工烧结炉、陶瓷烧结炉、马弗炉、消磁炉、温度控制系统、熔封炉、缝焊机、加压检漏台、压力机、时效炉
立式真空烧结炉、单、双管卧式真空烧结炉、压力烧结炉、陶瓷烧结炉、链（带）式烧结炉、全功能微控扩散系统、真空扩散炉、高温扩散炉、烘焙排腊炉、单管氢气炉、真空烧结炉、双工位立式真空烧结炉、陶瓷金属化氢气烧结炉、马弗炉、消磁炉、WDNI系列高精度电脑温度控制系统、WDNX多功能温度控制系统、全钽玻璃绝缘子熔封炉、PFJ-2型平行缝焊机、Y80-2/ RZQ加压检漏台、热稳态压力机、时效炉、专业流量计、
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L4811-II-2/RZQ双工位立式真空烧结炉是为满足半导体器件和磁性材料行业的大批量、高生产率的要求而设计的一种较先进的烧结设备，主要用于管芯和管座的烧结，也可以做扩散、退火设备用。

 

主要技术指标：

1工作温度：800℃～1200℃

2单点温度控制精度：±2℃/24h

3恒温区长度：400mm

4较高升温功率：22KW

5升温时间：≤50分钟（室温升至1000℃)

6真空电炉加热功率：1KW

7设备总功率：28KW

8真空室尺寸：φ350mm，高600mm

9真空度：3 x 10-3Pa

10抽真空时间：<1h（注：初始开机时间），连续工作<20min

11主机尺寸：2050 x 1050 x 2700mm（长x宽x高）

12电控箱尺寸：750 x 850 x 1800（mm）

13供电电源：三相380V

14主机重量：2000Kg
 
 
 
 
 
 
·描述 
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该真空烧结退火炉是生产半导体器件和磁性材料烧结、退火工序中的重要设备。

 

主要技术指标：

1、工作温度：400～1250℃

2、单点温度控制精度≤±1℃/24h

3、恒温区长度：≥200mm/±1℃

4、升温功率：≤5KVA

5、升温时间：（室温至1050℃)≤75min

6、保温功率：≤3KVA

7、重新定值重复性：≤±1℃

8、重开机重复性：≤±1℃

   冷态真空度：≤5 x 10-3Pa（打开扩散泵门后15min）

9、炉体传动升降分：自动及点动，速度无级调速，自动烧结烧结为0～30min

10、真空室尺寸：φ80㎜～φ300mm

11、设备外形尺寸：1703 x 703 x 2450 (mm)(长 x 宽 x 高）

12、重量：约600Kg

13、工作条件：

(1)环境温度：10～45℃

(2)相对湿度：≤85%

(3)电网电压：220V ± 10% ～ 380V

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词条
词条说明
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