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一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管较初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。 在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称
光伏防反二极管需要以下特点: 1. 高的方向电压,通常需要**过1500V 因为光伏阵列较高的时候会达到甚至**过1000V 2. 低的功耗,即导通阻抗(通态阻抗越
选用晶闸管的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。 (1)选用晶闸管的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不**过相应电流下的允许值。 (2)使用晶闸管之前,应该用万用表检查晶闸管是否良好。
可控硅整流器,是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础,以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。 晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又称作可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR),以前被简称为可控硅。由于其能承受的电压和电
公司名: 武汉武整机电有限公司
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地 址: 湖北武汉江夏区湖北省武汉市江夏区东湖**开发区光谷二路与高新五路交汇处北首地块
邮 编: 430014
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