山西某工程材料公司

时间：2022-03-22

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印刷电路板的热阻较小，时的总电阻很小。利用DirectFET封装技术。大约是1°C/WDirectFET器件的半导体结至**部（外壳）热阻大约是1.4°

器和其他元件。这种电源系统的控制、监控、同步以及顺序控制都大大地简化了图3

其中使用了很有创意的新技术，直流母转换器设计的例子。因而可以达到这样的性能。如图4所

可以利用直流母线转换器解决方案来实现两级供电系统。直流母线转换器芯片组四周是原边半桥整流器控制器和驱动示。

正是由于这个芯片组，器集成电路和MOSFET技术。才干达到这样的性能

针对用于电路板上 48V两级配电系统的非稳压型隔离式直流母线电压转换器而研制的控制器是针对性能、简单、利息进行了优化的IR2085S一种新的控制器集成电路。

把一个占空比为50%时钟与100V1A半桥整流器驱动器集成电路整合在一

装在一个SO-8封装中。频率和死区时间可以在外面进行调节，起。满足各种应用的要求。还有限制电流的功能。为了限制接通电源时突然增大的电流，IR2085S里面有

控制占空比，软启动功能。由零慢慢地增加到50%软启动过程中，一般

以继续2000个栅较驱动信号脉冲这么长时间。48V直流母线电压转换器演示板上有新的控制器集成电路与原边的低电荷MOSFET晶体管。

输出电压为8V时可以提供150W功率，及副边的低导通电阻、热性能提高了MOSFET配合在一起工作。效率追赶96%如图3所示，尺寸比 1/8砖转换器的外形尺寸还要

效率高3~5%尺寸小40%有一种类似的方法可以用于全桥整流直流母线转换小。与安装在电路板上、具有稳压作用的惯例功率转换器相比。

使用新的IR2085S输出功率达到240W尺寸也相似，器。输出电

这个电路中，流满载时的效率大约为96.4%图5直流母线电压转换器的电路图。原边使用控制器和驱动器集成

采用SO-8封装。输入电压为36V至75V时，电路IR2085S推动两只 IRF7493型FET晶体管─这是新一代低电荷、80Vn型沟道MOSFET功率晶体管。这只 FET晶体管可以换成100VIRF7495FET晶体管。

原边的偏置电压是由一只线性稳压器产生，启动时。稳态时，则由变压器发生原边偏置电压。IRF7380中包含

采用 SO-8封装，两个80Vn型沟道 MOSFET功率晶体管。就是用于在稳态时发生原边偏置电压。IRF6612或者 IRF6618这是使用

可以用于副边的DirectFET封装的新型30Vn型沟道 MOSFET功率晶体管。

较大水平地提高了电路的效率，自驱动同步整流电路。DirectFET半导体封装技术实际上消除了MOSFET晶体管的封装电阻。处于导通状态

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